- aut = "F. MATSUKURA"
- Artículo:
Universality Classes for Domain Wall Motion in the Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As
- Autor:
M. Yamanouchi
J. Ieda
F. Matsukura
- Resumen:
Walls between magnetic domains can be moved by changing the magnetic field or the spin-polarized current, but each acts through a different exponential relationship.
- Página:
1726
- Publicación:
Science
- Volúmen:
317
- Número:
5845
- Fecha:
Septiembre 21 2007
- ISSN:
00368075
- SrcID:
00368075-2007-09-21.txt
- Documento número 430645
- Actualizado el martes, 23 de mayo de 2017 04:08:40 p. m.
- Creado el martes, 23 de mayo de 2017 04:08:40 p. m.
- Enlace directo
- Artículo:
Universality Classes for Domain Wall Motion in the Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As
- Autor:
M. Yamanouchi
J. Ieda
F. Matsukura
- Resumen:
Walls between magnetic domains can be moved by changing the magnetic field or the spin-polarized current, but each acts through a different exponential relationship.
- Página:
1726
- Publicación:
Science
- Volúmen:
317
- Número:
5845
- Fecha:
Septiembre 21 2007
- ISSN:
00368075
- SrcID:
00368075-2007-09-21.txt
- Documento número 761385
- Actualizado el martes, 10 de julio de 2018 10:40:10 a. m.
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- Enlace directo
- Artículo:
Universality Classes for Domain Wall Motion in the Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As
- Autor:
M. Yamanouchi
J. Ieda
F. Matsukura
- Resumen:
Walls between magnetic domains can be moved by changing the magnetic field or the spin-polarized current, but each acts through a different exponential relationship.
- Página:
1726
- Publicación:
Science
- Volúmen:
317
- Número:
5845
- Fecha:
Septiembre 21 2007
- ISSN:
00368075
- SrcID:
00368075-2007-09-21.txt
- Documento número 811470
- Actualizado el martes, 10 de julio de 2018 10:46:08 a. m.
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- Artículo:
Universality Classes for Domain Wall Motion in the Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As
- Autor:
M. Yamanouchi
J. Ieda
F. Matsukura
- Resumen:
Walls between magnetic domains can be moved by changing the magnetic field or the spin-polarized current, but each acts through a different exponential relationship.
- Página:
1726
- Publicación:
Science
- Volúmen:
317
- Número:
5845
- Fecha:
Septiembre 21 2007
- ISSN:
00368075
- SrcID:
00368075-2007-09-21.txt
- Documento número 1330061
- Actualizado el martes, 10 de julio de 2018 11:47:28 a. m.
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- Artículo:
Current-induced domain-wall switching in a ferromagnetic semiconductor structure
- Autor:
M. YAMANOUCHI
D. CHIBA
F. MATSUKURA
- Página:
539
- Publicación:
Nature
- Volúmen:
428
- Número:
6982
- Periodo:
Abril 2004
- ISSN:
14764687
- SrcID:
14764687-2004-04-01.txt
- Documento número 1422447
- Actualizado el sábado, 5 de septiembre de 2020 03:16:28 p. m.
- Creado el sábado, 5 de septiembre de 2020 03:16:28 p. m.
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