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Artículo:

In-deep insight into the extrinsic capacitance impact on GaN HEMT modeling at millimeter-wave band

Autor:

Giovanni Crupi

Dominique M. M.-P. Schreurs

Alina Caddemi

Página:

308

Publicación:

International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering

Volúmen:

22

Número:

3

Periodo:

mayo 2012

ISSN:

10964290

SrcID:

10964290-2012-03.txt

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