- Artículo:
Semiconductor physics: Transport news
- Autor:
John J. Boland
- Resumen:
Conventionally, conduction in silicon is enhanced by doping — adding impurities that change the material's electronic structure. But exploiting surface effects in thin silicon films may offer yet other opportunities.
- Página:
671
- Publicación:
Nature
- Volúmen:
439
- Número:
7077
- Fecha:
Febrero 9 2006
- ISSN:
00280836
- SrcID:
00280836-2006-02-09.txt
- Documento número 1194503
- Actualizado el martes, 10 de julio de 2018 11:32:35 a. m.
- Creado el martes, 10 de julio de 2018 11:32:35 a. m.
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