- Artículo:
Surface Reaction Probabilities of Silicon Hydride Radicals in SiH4/H2 Thermal Chemical Vapor Deposition
- Autor:
Wei-Chang Hsin
Dah-Shyang Tsai
Shimogaki
- Página:
2129
- Publicación:
Industrial and Engineering Chemistry Research
- Volúmen:
41
- Número:
9
- Periodo:
Mayo 2002
- ISSN:
08885885
- SrcID:
08885885-2002-05-01.txt
- Documento número 1551653
- Actualizado el lunes, 13 de marzo de 2023 11:49:17 a. m.
- Creado el lunes, 13 de marzo de 2023 11:49:17 a. m.
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