- Artículo:
Nanoscale channel engineered double gate MOSFET for mixed signal applications using high-k dielectric
- Autor:
D Nirmal
P Vijayakumar
K Shruti
- Página:
608
- Publicación:
International Journal of Circuit Theory and Applications
- Volúmen:
41
- Número:
6
- Periodo:
junio 2013
- ISSN:
00989886
- SrcID:
00989886-2013-06.txt
- Documento número 223856
- Actualizado el martes, 23 de mayo de 2017 03:50:41 p. m.
- Creado el martes, 23 de mayo de 2017 03:50:41 p. m.
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