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Artículo:

Fabrication and nonlinear characterization of GaN HEMTs on SiC and sapphire for high power applications

Autor:

V. Camarchia

S. D. Guerrieri

M. Pirola

V. Teppati

Página:

70

Publicación:

International Journal Of RF And Microwave Computer Aided Engineering

Volúmen:

16

Número:

1

Periodo:

January 2006

ISSN:

10964290

SrcID:

10964290-2006-01.txt

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