- Artículo:
Polarization-Induced Hole Doping in Wide-Band-Gap Uniaxial Semiconductor Heterostructures
- Autor:
Simon, John
Protasenko, Vladimir
Chuanxin Lian
Huili Xing
- Página:
60
- Publicación:
Science
- Volúmen:
327
- Número:
5961
- Periodo:
1 enero 2010
- ISSN:
00368075
- SrcID:
00368075-2010-01-01.txt
- Documento número 436817
- Actualizado el martes, 23 de mayo de 2017 04:09:06 p. m.
- Creado el martes, 23 de mayo de 2017 04:09:06 p. m.
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