1. num = "6071"
Se encontraron 96 resultados.
Artículo:

Disease Tolerance as a Defense Strategy

Autor:

Ruslan Medzhitov

David S. Schneider

Miguel P. Soares

Página:

936

Publicación:

Science

Volúmen:

335

Número:

6071

Fecha:

24 febrero 2012

ISSN:

00368075

SrcID:

00368075-2012-02-24.txt

  • Documento número 442395
  • Actualizado el martes, 23 de mayo de 2017 04:09:30 p. m.
  • Creado el martes, 23 de mayo de 2017 04:09:30 p. m.
  • Enlace directo
Artículo:

Extremely Long-Lived Nuclear Pore Proteins in the Rat Brain

Autor:

Jeffrey N. Savas

Brandon H. Toyama

Tao Xu

Resumen:

Individual components of rat brain nuclear pores can be almost as old as the animal itself.

Página:

942

Publicación:

Science

Volúmen:

335

Número:

6071

Fecha:

24 febrero 2012

ISSN:

00368075

SrcID:

00368075-2012-02-24.txt

  • Documento número 442396
  • Actualizado el martes, 23 de mayo de 2017 04:09:30 p. m.
  • Creado el martes, 23 de mayo de 2017 04:09:30 p. m.
  • Enlace directo
Artículo:

Evolution of Shape by Multiple Regulatory Changes to a Growth Gene

Autor:

David W. Loehlin

John H. Werren

Resumen:

The comparison of two closely related parasitoid wasps reveals the genetic bases for differences in size and shape of male Nasonia wings.

Página:

943

Publicación:

Science

Volúmen:

335

Número:

6071

Fecha:

24 febrero 2012

ISSN:

00368075

SrcID:

00368075-2012-02-24.txt

  • Documento número 442397
  • Actualizado el martes, 23 de mayo de 2017 04:09:30 p. m.
  • Creado el martes, 23 de mayo de 2017 04:09:30 p. m.
  • Enlace directo
Artículo:

Field-Effect Tunneling Transistor Based on Vertical Graphene Heterostructures

Autor:

L. Britnell

R. V. Gorbachev

R. Jalil, B. D. Belle

Resumen:

Boron nitride or molybdenum disulfide layers sandwiched between graphene sheets act as tunneling barriers to minimize device leakage currents.

Página:

947

Publicación:

Science

Volúmen:

335

Número:

6071

Fecha:

24 febrero 2012

ISSN:

00368075

SrcID:

00368075-2012-02-24.txt

  • Documento número 442398
  • Actualizado el martes, 23 de mayo de 2017 04:09:30 p. m.
  • Creado el martes, 23 de mayo de 2017 04:09:30 p. m.
  • Enlace directo
Artículo:

The Local Structure of Amorphous Silicon

Autor:

M. M. J. Treacy

K. B. Borisenko

Resumen:

Amorphous silicon is more accurately described by a paracrystalline model, not the idealized continuous random network.

Página:

950

Publicación:

Science

Volúmen:

335

Número:

6071

Fecha:

24 febrero 2012

ISSN:

00368075

SrcID:

00368075-2012-02-24.txt

  • Documento número 442399
  • Actualizado el martes, 23 de mayo de 2017 04:09:30 p. m.
  • Creado el martes, 23 de mayo de 2017 04:09:30 p. m.
  • Enlace directo