- num = "6071"
- Artículo:
Disease Tolerance as a Defense Strategy
- Autor:
Ruslan Medzhitov
David S. Schneider
Miguel P. Soares
- Página:
936
- Publicación:
Science
- Volúmen:
335
- Número:
6071
- Fecha:
24 febrero 2012
- ISSN:
00368075
- SrcID:
00368075-2012-02-24.txt
- Documento número 442395
- Actualizado el martes, 23 de mayo de 2017 04:09:30 p. m.
- Creado el martes, 23 de mayo de 2017 04:09:30 p. m.
- Enlace directo
- Artículo:
Extremely Long-Lived Nuclear Pore Proteins in the Rat Brain
- Autor:
Jeffrey N. Savas
Brandon H. Toyama
Tao Xu
- Resumen:
Individual components of rat brain nuclear pores can be almost as old as the animal itself.
- Página:
942
- Publicación:
Science
- Volúmen:
335
- Número:
6071
- Fecha:
24 febrero 2012
- ISSN:
00368075
- SrcID:
00368075-2012-02-24.txt
- Documento número 442396
- Actualizado el martes, 23 de mayo de 2017 04:09:30 p. m.
- Creado el martes, 23 de mayo de 2017 04:09:30 p. m.
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- Artículo:
Evolution of Shape by Multiple Regulatory Changes to a Growth Gene
- Autor:
David W. Loehlin
John H. Werren
- Resumen:
The comparison of two closely related parasitoid wasps reveals the genetic bases for differences in size and shape of male Nasonia wings.
- Página:
943
- Publicación:
Science
- Volúmen:
335
- Número:
6071
- Fecha:
24 febrero 2012
- ISSN:
00368075
- SrcID:
00368075-2012-02-24.txt
- Documento número 442397
- Actualizado el martes, 23 de mayo de 2017 04:09:30 p. m.
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- Artículo:
Field-Effect Tunneling Transistor Based on Vertical Graphene Heterostructures
- Autor:
L. Britnell
R. V. Gorbachev
R. Jalil, B. D. Belle
- Resumen:
Boron nitride or molybdenum disulfide layers sandwiched between graphene sheets act as tunneling barriers to minimize device leakage currents.
- Página:
947
- Publicación:
Science
- Volúmen:
335
- Número:
6071
- Fecha:
24 febrero 2012
- ISSN:
00368075
- SrcID:
00368075-2012-02-24.txt
- Documento número 442398
- Actualizado el martes, 23 de mayo de 2017 04:09:30 p. m.
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- Artículo:
The Local Structure of Amorphous Silicon
- Autor:
M. M. J. Treacy
K. B. Borisenko
- Resumen:
Amorphous silicon is more accurately described by a paracrystalline model, not the idealized continuous random network.
- Página:
950
- Publicación:
Science
- Volúmen:
335
- Número:
6071
- Fecha:
24 febrero 2012
- ISSN:
00368075
- SrcID:
00368075-2012-02-24.txt
- Documento número 442399
- Actualizado el martes, 23 de mayo de 2017 04:09:30 p. m.
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