Artículo:

NANOELECTRONICS

Autor:

M.-Y. Li et al.

Resumen:

Epitaxial growth of a monolayer WSe2 -MoS2 lateral p-n junction with an atomically sharp interface

Página:

524

Publicación:

Science

Volúmen:

349

Número:

6247

Periodo:

31 Julio 2015

ISSN:

00368075

SrcID:

00368075-2015-07-31.txt