- Artículo:
MoS2 transistors with 1-nanometer gate lengths
- Autor:
SUJAY B. DESAI et al.
- Página:
99-102
- Publicación:
Science
- Volúmen:
354
- Número:
6308
- Periodo:
7 octubre 2016
- ISSN:
00368075
- SrcID:
00368075-2016-10-07.txt
- Documento número 1349993
- Actualizado el martes, 10 de julio de 2018 11:49:30 a. m.
- Creado el martes, 10 de julio de 2018 11:49:30 a. m.
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