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Artículo:

Impact of the base doping concentration on the transport mechanisms in n-type a-SiGe:H/p-type c-Silicon heterojunction,

Autor:

P. ROSALES-QUINTERO

M. MORENO-MORENO

A. TORRES-JACOME,

F.J. DE LA HIDALGA WADE

J. MOLINA-REYES

W. CALLEJA-ARRIAGA,

C. ZU˜N IGA-ISLAS

Página:

133–139

Publicación:

Revista Mexicana de Física

Volúmen:

57

Número:

2

Periodo:

Abril 2011

ISSN:

0035001

SrcID:

0035001x-2011-02.txt

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