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Artículo:

Field-Effect Tunneling Transistor Based on Vertical Graphene Heterostructures

Autor:

L. Britnell

R. V. Gorbachev

R. Jalil, B. D. Belle

Resumen:

Boron nitride or molybdenum disulfide layers sandwiched between graphene sheets act as tunneling barriers to minimize device leakage currents.

Página:

947

Publicación:

Science

Volúmen:

335

Número:

6071

Fecha:

24 febrero 2012

ISSN:

00368075

SrcID:

00368075-2012-02-24.txt

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