- Artículo:
Semiconductores de lámina de diamante
- Autor:
Michael W. Geis
John C. Angus
- Resumen:
Las finas láminas de diamante formadas a partir de un gas a baja presión y dopadas con impurezas podrían ser la base de una nueva generación de dispositivos electrónicos
- Página:
62
- Publicación:
Investigación y Ciencia
- Número:
195
- Periodo:
Diciembre 1992
- ISSN:
0210136X
- SrcID:
0210136x-1992-12.txt
- Documento número 694078
- Actualizado el martes, 10 de julio de 2018 10:32:30 a. m.
- Creado el martes, 10 de julio de 2018 10:32:30 a. m.
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