- Artículo:
Influencia de la geometría y dopaje en las propiedades electrónicas de la hoja SiC
- Autor:
Ernesto Chigo Anota
- Página:
309
- Publicación:
Revista Mexicana de Física
- Volúmen:
57
- Número:
4
- Periodo:
Agosto 2011
- ISSN:
0035001x
- SrcID:
0035001x-2011-04.txt
- Documento número 719439
- Actualizado el martes, 10 de julio de 2018 10:35:24 a. m.
- Creado el martes, 10 de julio de 2018 10:35:24 a. m.
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